SK海力士加码光刻技术，概念股完整梳理（附股）

泡股

风险提示：仅为产业链逻辑拆解，不构成任何投资建议，股市有风险，入市需谨慎。

一、事件核心背景

SK 海力士为抢占下一代 DRAM、HBM4/HBM5 技术制高点，全面推进High-NA EUV 高数值孔径极紫外光刻研发与量产部署，计划两年内 EUV 光刻机保有量翻倍；

同步升级光刻配套，大规模导入相移掩模 PSM新型光罩材料，优化 EUV 成像精度，用于 1αnm 及以下先进存储制程；

叠加 54 万亿韩元 AI 存储扩产投入，龙仁晶圆集群、清州先进封装工厂开工，光刻全链条设备、光刻辅材、HBM 配套耗材需求同步爆发。

二、分赛道受益标的（按绑定深度排序）

（一）光刻核心材料（直接绑定光刻工艺，确定性最高）

1. 光掩模版（PSM 相移掩模直接受益）

聚和材料（688503） 收购 SK 集团旗下 SK Enpulse 空白掩膜业务，直接承接 SK 海力士光刻光罩供货，海力士为该板块第一大客户，营收占比 84%，覆盖 DUV 光刻全部存储制程，深度受益 PSM 相移掩模扩产，是本次光刻升级最正宗光罩标的。

2. 光刻配套化学品 + ALD 前驱体（HBM 光刻薄膜刚需）

雅克科技（002409）【核心龙头】

韩国子公司 UP Chemical 为 SK 海力士 HBM 产线ALD 光刻前驱体独家供应商，长协锁定至 2031 年，HBM 多层堆叠光刻薄膜耗材消耗量是普通 DRAM 数倍；

同步供货海力士光刻显影液、光刻配套湿化学品，是 A 股唯一批量切入三星、SK 海力士、长鑫三大存储原厂光刻辅材的平台型公司。

3. 湿电子化学品（光刻后清洗、显影工序）

兴福电子（688468） SK 海力士直接持股 2.74%，直供电子级硫酸、磷酸等光刻制程高纯湿化学品，覆盖韩国龙仁、无锡两大厂区；实控主体兴发集团为一体化配套平台。

江化微、中巨芯：光刻显影液、剥离液间接供货海外存储厂供应链。

4. CMP 抛光材料（光刻后晶圆平坦化必备）

安集科技（688019）：CMP 抛光液、光刻后清洗液批量导入 SK 海力士 HBM 先进制程产线；

鼎龙股份（300054）：抛光垫 + 封装光刻配套材料双供货海力士存储工厂。

5. 电子特气（光刻曝光、刻蚀环节核心介质）

中船特气（688146）：三氟化氮、六氟化钨等光刻与刻蚀高纯特气批量进入海力士龙仁晶圆基地；

中泰股份（300435）：氪气、氙气（EUV 光刻曝光稀有气体）已通过验证并向海力士稳定供货，EUV 扩产直接拉动氪氙需求；华特气体：光刻混合气间接配套海外存储厂。

（二）光刻关联半导体设备（晶圆厂扩产全流程设备采购）

量测检测设备（光刻后缺陷检测核心）

中科飞测：HBM 晶圆光学量测设备批量导入海力士韩国新建晶圆厂，用于 EUV 光刻套刻精度、膜厚检测；

赛腾股份：旗下 Optima 机型专供 SK 海力士晶圆边缘光刻缺陷检测。

薄膜 / 刻蚀 / 清洗（光刻前后道工艺联动）

北方华创：PVD、氧化炉、清洗设备适配海力士 HBM 的 TSV 硅通孔光刻配套工艺；

盛美上海：单片式湿法清洗设备，用于光刻后晶圆颗粒清洗；

拓荆科技：PECVD 薄膜设备匹配 EUV 先进制程介质层沉积。

洁净厂房 EPC（光刻车间超高洁净环境）

太极实业（600667）：旗下十一科技承接 SK 海力士无锡、龙仁光刻厂房、HBM 洁净车间总包建设，光刻产线新建直接受益基建订单。

（三）HBM 先进封装（光刻技术最终落地载体，弹性最大）

SK 海力士 EUV 光刻迭代最终目的是量产超高堆叠 HBM 显存，先进封装环节订单外溢显著：

太极实业：与 SK 海力士合资海太半导体，国内唯一原厂定点 HBM 封测基地，合作锁至 2030 年，股权绑定最强；

通富微电：已签署 SK 海力士 HBM 长期封装协议，承接 HBM3E/HBM4 堆叠代工；

长电科技：2.5D/3D 先进封装为海力士 DRAM 及 HBM 提供堆叠制程；

华海诚科：HBM 专用 GMC 环氧塑封料通过 SK 海力士认证批量供货，多层光刻堆叠封装核心耗材；

联瑞新材：低 α 球形硅微粉，GMC 塑封料上游填料，进入海力士封测物料体系。

（四）分销与下游存储端（产能释放后下游出货受益）

香农芯创（300475）：SK 海力士中国大陆核心授权代理商，手握 HBM3E 核心分销配额，光刻扩产带来 HBM 产能放量直接增厚营收；

江波龙、佰维存储：采购海力士光刻新工艺 DRAM 颗粒制作 AI 服务器存储模组。

三、标的梯队精简（按关联确定性划分）

第一梯队（深度绑定、有长协 / 股权 / 独家供货）

聚和材料（光刻掩膜 PSM 直接受益）

雅克科技（HBM 光刻前驱体独家供应）

太极实业（封测 + 光刻厂房 EPC 双绑定）

中泰股份（EUV 光刻氪氙稀有气体）

第二梯队（批量供货海力士光刻配套耗材 / 设备）

安集科技、鼎龙股份、中船特气、兴福电子、中科飞测、华海诚科、通富微电

第三梯队（间接供应链、下游分销与模组）

香农芯创、江波龙、长电科技、赛腾股份

四、核心催化与风险提示

核心催化

High-NA EUV 设备逐年到货，存储先进制程良率提升，光刻辅材持续消耗；

PSM 相移掩模技术普及，光罩厂商订单放量；

英伟达锁定海力士 HBM 长期产能，倒逼龙仁晶圆厂光刻产线加速投产。

主要风险

ASML 光刻机交付不及预期，海力士光刻扩产进度放缓；

海外存储大厂供应链壁垒高，国内耗材放量速度低于预判；

全球 DRAM 价格周期下行，资本开支收缩。