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1、玻璃基板生产工艺与产业链
玻璃基板生产工序流程：玻璃基板生产共涉及7-8道工序，全流程为：
1)基材采购：采购专用玻璃基材，包括肖特BF33等高硼硅玻璃、康宁产玻璃圆片等；
2) 基材预处理：将玻璃基材打磨抛光减薄至0.3毫米以下；
3) 通孔与线路制作：采用TGV技术完成激光诱导、药水腐蚀、清洗后，通过PDV工艺电镀填充通孔并制作铜线路；
4）后段检测与循环加工：依次完成研磨、光刻胶与显影、AOI光学检测（检测线距、良率等），多步骤循环后实现TGV玻璃基板打通及外表重布线层RDL层的制作。
TGV核心工艺路径：TGV工艺经多轮探索已形成成熟落地路径，早期工艺存在明显缺陷：
1）传统机械打孔易出现崩边问题；
2）激光直接照射加工因玻璃材质较脆，易产生裂纹。当前主流成熟工艺为UV曝光改性+湿法刻蚀，操作流程为先通过UV曝光对玻璃进行改性处理，再浸泡至酸性溶液中刻蚀。完整TGV工艺全流程为激光诱导、溅射铜、电镀、制作RDL层。
玻璃基板产业链拆解：玻璃基板产业链可拆分为上、中、下游三个核心环节：
1） 上游：涵盖设备端与材料端，材料端核心品类为玻璃基板原料与原浆，设备端包括TGV激光设备、刻蚀设备、电镀设备、光刻直写设备、PDV铜镀设备等；
2） 中游：为TGV玻璃基板制造与加工环节，核心工序包括TGV打孔、金属化填孔及多层线路堆叠等；
3）下游：集中于应用场景，主要覆盖半导体、射频、CPU等领域。
2、先进封装演进趋势与主流技术
·先进封装发展历程：先进封装核心发展方向可总结为高密度与小型化，发展历程分为两大阶段：一是20世纪初，封装以DIP、QFP等引脚插装、表面贴装形式为主，芯片面积大，封装面积、功率表现均不佳；二是2000年起，随着BGA、CSP技术普及，封装引脚消失，芯片与基板连接方式从引脚模式变为邦片凸点模式，高密度集成能力大幅提升，当前先进封装正逐步向2.5D及3D封装方向发展，邦片尺寸持续缩小，纵向堆叠层数不断提升。
3、先进封装核心发展趋势
先进封装主要有三大核心发展趋势：
1）2.5D及3D封装普及：2.5D封装是将不同功能的芯片通过中介层共同封装到基板上；3D封装通过TSV微通孔及凸点实现纵向连接，大幅缩短互联距离，可将不同功能芯片更高密度集成到单个封装中。
2）从扇入向扇出演进：扇入型封装的芯片与基板连接面积、重布线层走线面积均小于等于芯片面积；扇出型封装用有机材料包裹芯片，走线可延伸至外部有机层，实际走线面积大于芯片面积，布线量与基板连接面积均有所提升。c. 从MCM向SiP、SoC升级：SiP采用共封装方式，将不同功能芯片并排或堆叠放置在单一基板上进行物理封装；SoC采用不同光刻工艺在同一圆片上制作不同功能芯片，集成度更高。
主流厂商先进封装技术：当前先进封装领域主流玩家为台积电、三星、英特尔，各家技术路线存在差异：
1）台积电：面向高性能AI算力芯片的核心方案为CoWoS系列，包含CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L三个版本，其中CoWoS-S采用2.5D封装，HBM部分采用3D封装，将HBM、计算芯片、逻辑芯片共同封装在硅中介层中；CoWoS-R和CoWoS-L为升级版本，CoWoS-L中介层集合RDL有机中介层与硅桥技术。台积电SOIC 3D封装目前处于密集落地阶段，尚未实现成熟量产。
2）三星：3D封装技术主要应用于HBM产品。
3）英特尔：为行业主流玩家之一，但先进封装市占率不高。
4、玻璃基板优势与应用场景
·玻璃基板核心优势：玻璃基板核心优势主要体现在三方面：一是热稳定性优异，热膨胀系数可通过玻璃原片改性调节，可匹配下层基板CET指数，持续工作升温时不易发生形变，避免传统有机基板CET不可调节、与下层基板参数差异导致形变影响产品良率的问题；二是适配先进封装需求，支持小于2微米微孔及更精细布线，可满足高密度先进封装互联要求；三是长期成本优势突出，玻璃基板可方形制作，面积使用率远高于传统圆形晶圆片，长远来看成本较硅中介层低20%。
5、玻璃基板主要应用场景
玻璃基板应用场景可分为四类，不同场景技术路径差异明显：
1）玻璃中介层：可替代台积电CoWoS技术中的硅/有机中介层，英特尔Glass Core技术用玻璃基板替代ABF有机载板的中间芯盒部分，不会取代上下重布线层ABF膜；
2）玻璃芯板：作为基板核心结构层使用；
3）HBM玻璃临时载板：属于支撑类耗材，用于HBM堆叠过程中晶圆减薄、RDL重布线等先进封装制程的支撑，提升良率，不会进入最终成品芯片；
4）CPU光电共封装玻璃平台：可大幅提升光互连的光纤集成密度，通过TGV技术实现PIC光引擎与ASIC芯片的互联，外部连接光纤，与康宁玻璃桥技术同源采用光波导技术，通过激光改性玻璃内部形成多条折射率差异的光纤通道，降低耦合难度，实现光信号精准传输到CPU及ASIC交换芯片。
玻璃基板开发现状：2026年7月1日康宁发布官方声明，明确玻璃基板仅为技术概念，核心探索在平面玻璃中利用离子交换光波导能力实现光信号传输，当前技术处于开发早期，尚未实现商业化及规模化生产，仅对未来技术研发具备引导作用。
6、玻璃基板生产工艺与产业链
玻璃基板生产工序流程：玻璃基板生产共涉及7-8道工序，全流程为：
1） 基材采购：采购专用玻璃基材，包括肖特BF33等高硼硅玻璃、康宁产玻璃圆片等；
2）基材预处理：将玻璃基材打磨抛光减薄至0.3毫米以下；
3）通孔与线路制作：采用TGV技术完成激光诱导、药水腐蚀、清洗后，通过PDV工艺电镀填充通孔并制作铜线路；
4）后段检测与循环加工：依次完成研磨、光刻胶与显影、AOI光学检测（检测线距、良率等），多步骤循环后实现TGV玻璃基板打通及外表重布线层RDL层的制作。
7、TGV核心工艺路径
TGV工艺经多轮探索已形成成熟落地路径，早期工艺存在明显缺陷：
1）传统机械打孔易出现崩边问题；
2） 激光直接照射加工因玻璃材质较脆，易产生裂纹。当前主流成熟工艺为UV曝光改性+湿法刻蚀，操作流程为先通过UV曝光对玻璃进行改性处理，再浸泡至酸性溶液中刻蚀。完整TGV工艺全流程为激光诱导、溅射铜、电镀、制作RDL层。
8、玻璃基板产业链拆解
玻璃基板产业链可拆分为上、中、下游三个核心环节：
上游：涵盖设备端与材料端，材料端核心品类为玻璃基板原料与原浆，设备端包括TGV激光设备、刻蚀设备、电镀设备、光刻直写设备、PDV铜镀设备等；
中游：为TGV玻璃基板制造与加工环节，核心工序包括TGV打孔、金属化填孔及多层线路堆叠等；
下游：集中于应用场景，主要覆盖半导体、射频、CPU等领域。
9、玻璃基板量产情况与厂商进展
·玻璃基板技术卡点分析：当前玻璃基板良率约70%，较ABF基板低20-30个百分点，核心卡点集中在TGV打孔、多层布线、AOI检测三个环节。其中AOI光检测环节受玻璃基板透明属性影响，光照易透光，因此对AOI设备及光线要求更高。当前AOI设备厂商暂未进行针对性参数调节，需等待玻璃基板方案逐步定型、进入小批量生产阶段后，再对设备做适配调整，即可有效提升该环节生产良率。
·玻璃基板量产节奏规划：玻璃基板替代落地节奏分短期、中长期两个阶段推进，不同阶段替代方向差异明显。短期来看，实现硅中介层的替代可行性更高；中长期来看，替代ABF载板板芯层的市场空间更为可观，后续将逐步进入量产落地阶段。
海外核心厂商进展梳理：当前海外布局玻璃基板的核心厂商包括英特尔、台积电、康宁、三星四家，各家技术路线及量产规划如下：
1）英特尔：2026年1月成功展示首款EMIB 2.5D封装技术的玻璃基板样品，采用12层堆叠结构，实现无微裂纹突破；2026年5月20日明确新墨西哥州奥兰乔工厂为首个玻璃基板量产基地，官方预计2030年实现全面商用。
2）台积电：主打玻璃中介层路线，2026年6月已完成CoWoS中试线建设投用，当前处于工艺验证阶段，官方公开表态量产仍需2-3年，预计2027年小量试产，2028-2029年逐步量产。
3）康宁：发布玻璃桥Glass Bridge方案，主攻光波导、离子交换技术及玻璃桥与TGV打孔集成技术，2026年6月发布新方案，目前商业化验证仍待推进，暂未公布明确量产指引；2026年5月20日京东方公告与康宁签署三年玻璃基板合作备忘录。
4）三星：主打玻璃中介层应用路线，三星电机已向苹果、博通送样玻璃基板产品，量产目标定为2027年。
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